maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / JANS1N6632US
Référence fabricant | JANS1N6632US |
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Numéro de pièce future | FT-JANS1N6632US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/356 |
JANS1N6632US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.3V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 5W |
Impédance (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 1A |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | E, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | E, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6632US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANS1N6632US-FT |
JAN1N6344
Microsemi Corporation
JAN1N6346US
Microsemi Corporation
JAN1N6347US
Microsemi Corporation
JAN1N6348
Microsemi Corporation
JAN1N6348US
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JAN1N6350US
Microsemi Corporation
JAN1N6351
Microsemi Corporation
JAN1N6351US
Microsemi Corporation
JAN1N6485US
Microsemi Corporation
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-6BG756I
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A3P250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7K160T-1FB484I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F31C4N
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel
EP1S80F1020C5N
Intel