maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / JANS1N6319US/TR
Référence fabricant | JANS1N6319US/TR |
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Numéro de pièce future | FT-JANS1N6319US/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6319US/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 3.5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1A |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6319US/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANS1N6319US/TR-FT |
JAN1N6319DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6320/TR
Microsemi Corporation
JAN1N6320C
Microsemi Corporation
JAN1N6320CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6320DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6320US/TR
Microsemi Corporation
JAN1N6337
Microsemi Corporation
JAN1N6337DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6338US
Microsemi Corporation
JAN1N6340
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
EP3C10F256C8
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I5N
Intel