maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / JANS1N6317D
Référence fabricant | JANS1N6317D |
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Numéro de pièce future | FT-JANS1N6317D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6317D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 5.1V |
Tolérance | ±1% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 14 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1A |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 (DO-204AH) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6317D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANS1N6317D-FT |
JAN1N6316CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6316D
Microsemi Corporation
JAN1N6316DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317C
Microsemi Corporation
JAN1N6317CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317D
Microsemi Corporation
JAN1N6317DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317US
Microsemi Corporation
JAN1N6318C
Microsemi Corporation
JAN1N6318CUS
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
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10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel