maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / JANS1N6316US
Référence fabricant | JANS1N6316US |
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Numéro de pièce future | FT-JANS1N6316US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6316US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 17 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1.5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1A |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6316US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANS1N6316US-FT |
JAN1N6316/TR
Microsemi Corporation
JAN1N6316C
Microsemi Corporation
JAN1N6316CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6316D
Microsemi Corporation
JAN1N6316DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317C
Microsemi Corporation
JAN1N6317CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317D
Microsemi Corporation
JAN1N6317DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317US
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-2CSG484I
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XC4052XL-2HQ304C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-1VQ100I
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10M08DAU324I7G
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EP4SE230F29C3N
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10AX016E3F29E1HG
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