maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / JANS1N6313US
Référence fabricant | JANS1N6313US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JANS1N6313US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6313US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 25 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1A |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6313US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANS1N6313US-FT |
JAN1N6312D
Microsemi Corporation
JAN1N6312DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6312US/TR
Microsemi Corporation
JAN1N6313C
Microsemi Corporation
JAN1N6313CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6313D
Microsemi Corporation
JAN1N6313DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6314C
Microsemi Corporation
JAN1N6314CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6314D
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel