maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JAN2N6250
Référence fabricant | JAN2N6250 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN2N6250 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/510 |
JAN2N6250 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 10A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 275V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.25A, 10A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 10A, 3V |
Puissance - Max | 6W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3 (TO-204AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6250 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N6250-FT |
FJZ733GTF
ON Semiconductor
FJZ733LTF
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FJZ733OTF
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FMS1AT148
Rohm Semiconductor
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
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XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel