maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JAN2N4261
Référence fabricant | JAN2N4261 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN2N4261 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/511 |
JAN2N4261 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 1V |
Puissance - Max | 200mW |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-72-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-72 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N4261 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N4261-FT |
2SC5099
Sanken
2SC5101
Sanken
2SD2045
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2SD2082
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2SD2438
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2SD2439
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2SD2562
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Sanken
TSB772CK B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSB772CK C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F27I7N
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10M50SCE144C7G
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5SGXEB6R3F43C4
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EP4S40G5H40I1N
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LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
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EP1S30F780C5
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