maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / JAN2N3506AL
Référence fabricant | JAN2N3506AL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN2N3506AL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JAN2N3506AL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3506AL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN2N3506AL-FT |
JAN2N2221AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2221AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2484UA
Microsemi Corporation
JAN2N2484UB
Microsemi Corporation
JAN2N2904
Microsemi Corporation
JAN2N2904A
Microsemi Corporation
JAN2N2904AL
Microsemi Corporation
JAN2N2905
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F484I4N
Intel
EP3C40F484C8
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
5SGXEA5K2F35I2N
Intel
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E1SG
Intel
5AGXMA3D4F31C4G
Intel