maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / JAN1N823-1
Référence fabricant | JAN1N823-1 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N823-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/159 |
JAN1N823-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 (DO-204AH) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N823-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N823-1-FT |
1N6007D
Microsemi Corporation
1N6008A
Microsemi Corporation
1N6008C
Microsemi Corporation
1N6008D
Microsemi Corporation
1N6009A
Microsemi Corporation
1N6009C
Microsemi Corporation
1N6009D
Microsemi Corporation
1N6010A
Microsemi Corporation
1N6010B
Microsemi Corporation
1N6010C
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-2CSG484I
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XC4052XL-2HQ304C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M08DAU324I7G
Intel
EP4SE230F29C3N
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10AX016E3F29E1HG
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