maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / JAN1N6674R
Référence fabricant | JAN1N6674R |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6674R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/617 |
JAN1N6674R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.55V @ 20A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 400V |
Température de fonctionnement - Jonction | 200°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-254AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6674R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6674R-FT |
HTZ270H64K
IXYS
HTZ280H20K
IXYS
HTZ280H24K
IXYS
HTZ280H28K
IXYS
HTZ280H32K
IXYS
IRKC166/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKC166/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKC166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKC166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKC196/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
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5SGXMA3E3H29I3LN
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EP4CGX30BF14C8
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10M02DCV36I7G
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