maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / JAN1N6660DT1
Référence fabricant | JAN1N6660DT1 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6660DT1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/608 |
JAN1N6660DT1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 45V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-254AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6660DT1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6660DT1-FT |
HTZ270H56K
IXYS
HTZ270H64K
IXYS
HTZ280H20K
IXYS
HTZ280H24K
IXYS
HTZ280H28K
IXYS
HTZ280H32K
IXYS
IRKC166/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKC166/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKC166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKC166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel