maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N6643
Référence fabricant | JAN1N6643 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6643 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/578 |
JAN1N6643 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 300mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | D, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6643 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6643-FT |
CDBER54-HF
Comchip Technology
CDBER70-HF
Comchip Technology
CDBU0130R-HF
Comchip Technology
CDBU0140L-HF
Comchip Technology
CDBU0145
Comchip Technology
CDBU0145-HF
Comchip Technology
CDBU0320
Comchip Technology
CDBU0320-HF
Comchip Technology
CDBU0330
Comchip Technology
CDBU0330-HF
Comchip Technology
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel