maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N6642US
Référence fabricant | JAN1N6642US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6642US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/578 |
JAN1N6642US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 300mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 40pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, D |
Package d'appareils du fournisseur | D-5D |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6642US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6642US-FT |
CDLL5711
Microsemi Corporation
1N4454UR-1
Microsemi Corporation
1N914UR
Microsemi Corporation
CDLL5195
Microsemi Corporation
CDLL5712
Microsemi Corporation
CDLL6675
Microsemi Corporation
CDLL6676
Microsemi Corporation
CDLL4150
Microsemi Corporation
CDLL4153
Microsemi Corporation
1N3595UR-1
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel