maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N6630
Référence fabricant | JAN1N6630 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6630 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/590 |
JAN1N6630 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 900V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 900V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | E, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6630 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6630-FT |
IRKE71/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE71/10A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE71/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE71/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE71/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/10A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel