maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N6629
Référence fabricant | JAN1N6629 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6629 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/590 |
JAN1N6629 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 880V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | E, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6629 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6629-FT |
IRKE71/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE71/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE71/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE71/10A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE71/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE71/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE71/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE91/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel