maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N647-1
Référence fabricant | JAN1N647-1 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N647-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
JAN1N647-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 400mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 400mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N647-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N647-1-FT |
MX1H5615
Microsemi Corporation
APT15DQ60BG
Microsemi Corporation
APT15DQ120BG
Microsemi Corporation
APT15DQ100BG
Microsemi Corporation
APT30D60BG
Microsemi Corporation
APT40DQ100BG
Microsemi Corporation
APT100S20BG
Microsemi Corporation
APT40DQ60BG
Microsemi Corporation
APT30DQ60BG
Microsemi Corporation
APT60S20BG
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel