maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6463
Référence fabricant | JAN1N6463 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6463 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/551 |
JAN1N6463 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12V |
Tension - Panne (Min) | 13.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 22.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 125A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6463 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6463-FT |
JAN1N6142
Microsemi Corporation
JAN1N6142AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6142US
Microsemi Corporation
JAN1N6143
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JAN1N6143AUS
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JAN1N6143US
Microsemi Corporation
JAN1N6144
Microsemi Corporation
JAN1N6144AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6144US
Microsemi Corporation
JAN1N6145
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel