maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6462
Référence fabricant | JAN1N6462 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6462 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/551 |
JAN1N6462 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 6V |
Tension - Panne (Min) | 6.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 258A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6462 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6462-FT |
JAN1N6141AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6141US
Microsemi Corporation
JAN1N6142
Microsemi Corporation
JAN1N6142AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6142US
Microsemi Corporation
JAN1N6143
Microsemi Corporation
JAN1N6143AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6143US
Microsemi Corporation
JAN1N6144
Microsemi Corporation
JAN1N6144AUS
Microsemi Corporation
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel