maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6173
Référence fabricant | JAN1N6173 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6173 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6173 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 152V |
Tension - Panne (Min) | 180.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 286.65V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5.23A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6173 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6173-FT |
JAN1N6140
Microsemi Corporation
JAN1N6140AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6140US
Microsemi Corporation
JAN1N6141
Microsemi Corporation
JAN1N6141AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6141US
Microsemi Corporation
JAN1N6142
Microsemi Corporation
JAN1N6142AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6142US
Microsemi Corporation
JAN1N6143
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel