maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6172US
Référence fabricant | JAN1N6172US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6172US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6172US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 136.8V |
Tension - Panne (Min) | 162.45V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 257.99V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5.8A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, C |
Package d'appareils du fournisseur | C, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6172US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6172US-FT |
JAN1N6139US
Microsemi Corporation
JAN1N6140
Microsemi Corporation
JAN1N6140AUS
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Microsemi Corporation
EPF10K20TI144-4N
Intel
M2GL050-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQ176
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LCMXO2-2000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SGES
Intel
5SGSMD3H1F35C2N
Intel