maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6171
Référence fabricant | JAN1N6171 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6171 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6171 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 121.6V |
Tension - Panne (Min) | 144.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 229.32V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 6.56A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6171 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6171-FT |
JAN1N6138A
Microsemi Corporation
JAN1N6138AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6138US
Microsemi Corporation
JAN1N6139
Microsemi Corporation
JAN1N6139AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6139US
Microsemi Corporation
JAN1N6140
Microsemi Corporation
JAN1N6140AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6140US
Microsemi Corporation
JAN1N6141
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation