maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6167US
Référence fabricant | JAN1N6167US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6167US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6167US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 86.6V |
Tension - Panne (Min) | 99.28V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 158.87V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 9.41A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, C |
Package d'appareils du fournisseur | C, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6167US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6167US-FT |
JAN1N6135US
Microsemi Corporation
JAN1N6136
Microsemi Corporation
JAN1N6136A
Microsemi Corporation
JAN1N6136AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6136US
Microsemi Corporation
JAN1N6137
Microsemi Corporation
JAN1N6137A
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JAN1N6138
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
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LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
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EPF10K50EFC484-3N
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EP2C15AF256C8N
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5AGXMA1D4F27C5N
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EP2SGX30CF780C3
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