maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6166
Référence fabricant | JAN1N6166 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6166 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6166 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 76V |
Tension - Panne (Min) | 90.25V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 144.48V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 10.36A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6166 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6166-FT |
JAN1N6134AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6134US
Microsemi Corporation
JAN1N6135
Microsemi Corporation
JAN1N6135A
Microsemi Corporation
JAN1N6135AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6135US
Microsemi Corporation
JAN1N6136
Microsemi Corporation
JAN1N6136A
Microsemi Corporation
JAN1N6136AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6136US
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
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M1AFS600-FG256
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EP2C70F672C7N
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10M08DCF484C8G
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Intel
EP4SGX530KF43C4N
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EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
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LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation