maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6112US
Référence fabricant | JAN1N6112US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6112US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6112US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 13.7V |
Tension - Panne (Min) | 16.25V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 26.36V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 18.91A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6112US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6112US-FT |
ICT-22
Microsemi Corporation
ICT-22C
Microsemi Corporation
ICT-36
Microsemi Corporation
ICT-36C
Microsemi Corporation
ICT-45
Microsemi Corporation
ICT-45C
Microsemi Corporation
ICT-5
Microsemi Corporation
ICT-5C
Microsemi Corporation
ICT-8
Microsemi Corporation
ICT-8C
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23C8
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
XC7K160T-2FBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP20K200CB652C8
Intel