maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6104AUS
Référence fabricant | JAN1N6104AUS |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6104AUS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6104AUS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 6.2V |
Tension - Panne (Min) | 7.79V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 12.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 41.3A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6104AUS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6104AUS-FT |
ESD8551N2T5G
ON Semiconductor
ESDAVLC6-5BU6
STMicroelectronics
ESDLC5V0K5-TP
Micro Commercial Co
GL05-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL12-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL24-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT04-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT04C-HT3-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
M1A3P1000-1FGG144M
Microsemi Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel