maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N6081
Référence fabricant | JAN1N6081 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6081 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/503 |
JAN1N6081 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 37.7A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | G, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | G, Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 155°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6081 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6081-FT |
B245AE-13
Diodes Incorporated
B250AE-13
Diodes Incorporated
B260AE-13
Diodes Incorporated
B330AE-13
Diodes Incorporated
B345AE-13
Diodes Incorporated
B350AE-13
Diodes Incorporated
B360AE-13
Diodes Incorporated
CDBER40-HF
Comchip Technology
CDBER42-HF
Comchip Technology
CDBER43-HF
Comchip Technology
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel