maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N6078
Référence fabricant | JAN1N6078 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6078 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/503 |
JAN1N6078 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.76V @ 18.8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | E, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | E-PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 155°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6078 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6078-FT |
IRD3CH53DD6
Infineon Technologies
IRD3CH53DF6
Infineon Technologies
IRD3CH5BD6
Infineon Technologies
IRD3CH5DB6
Infineon Technologies
IRD3CH82DB6
Infineon Technologies
IRD3CH82DD6
Infineon Technologies
IRD3CH82DF6
Infineon Technologies
IRD3CH9DB6
Infineon Technologies
IRD3CH9DD6
Infineon Technologies
IRD3CH9DF6
Infineon Technologies
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel