maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N5811US
Référence fabricant | JAN1N5811US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5811US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5811US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5811US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5811US-FT |
1N3595UR-1
Microsemi Corporation
1N4153UR-1
Microsemi Corporation
1N4938UR-1
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CDLL3600
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Microsemi Corporation
1N483BUR
Microsemi Corporation
1N485BUR
Microsemi Corporation
1N645UR-1
Microsemi Corporation
XC7S25-1FTGB196C
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APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel