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Microsemi Corporation JAN1N5809US

Numéro de pièce MFG
JAN1N5809US
quantité disponible
73160 Pièces
Prix de référence
USD 8.42248
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
Military, MIL-PRF-19500/477 DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
JAN1N5809US.pdf
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JAN1N5809US Caractéristiques

Référence fabricant JAN1N5809US
Numéro de pièce future FT-JAN1N5809US
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Military, MIL-PRF-19500/477
JAN1N5809US Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 6A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 875mV @ 4A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 30ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 100V
Capacité @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SQ-MELF, B
Package d'appareils du fournisseur B, SQ-MELF
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
JAN1N5809US Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange JAN1N5809US-FT

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