maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N5807
Référence fabricant | JAN1N5807 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5807 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5807 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5807 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5807-FT |
IRD3CH24DB6
Infineon Technologies
IRD3CH24DD6
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IRD3CH24DF6
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IRD3CH31DB6
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IRD3CH31DD6
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IRD3CH31DF6
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IRD3CH42DB6
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IRD3CH42DD6
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IRD3CH42DF6
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IRD3CH53DB6
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A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
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Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
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EP4SGX290KF40I4N
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Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
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EP3CLS200F780C8
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