maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N5806
Référence fabricant | JAN1N5806 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5806 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5806 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 2.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5806 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5806-FT |
1N4153UR-1
Microsemi Corporation
1N4938UR-1
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CDLL3600
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CDLL4148
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CDLL4454
Microsemi Corporation
1N4531UR
Microsemi Corporation
1N483BUR
Microsemi Corporation
1N485BUR
Microsemi Corporation
1N645UR-1
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CDLL0.2A20
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M2GL090-1FCSG325
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APA300-BG456
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5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
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XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation