maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N5806US
Référence fabricant | JAN1N5806US |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5806US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5806US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 2.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, A |
Package d'appareils du fournisseur | D-5A |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5806US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5806US-FT |
JANTX1N4148UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N5711UR-1
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JAN1N4148UR-1
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A3PE600-2FGG484
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LFE2M70E-7F1152C
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XC4010XL-3BG256I
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XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel