maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N5639A
Référence fabricant | JAN1N5639A |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5639A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/500 |
JAN1N5639A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15.3V |
Tension - Panne (Min) | 17.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 25.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 59.5A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-13 |
Package d'appareils du fournisseur | DO-13 (DO-202AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5639A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5639A-FT |
DLTS30C
Microsemi Corporation
DLTS30CA
Microsemi Corporation
DLTS5
Microsemi Corporation
DLTS5A
Microsemi Corporation
DLTS8C
Microsemi Corporation
DLTS8CA
Microsemi Corporation
DS9503X
Maxim Integrated
EPS12SM
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EPS15
Microsemi Corporation
EPS15SM
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
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XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
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EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
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EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel