maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N5616/TR
Référence fabricant | JAN1N5616/TR |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5616/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/427 |
JAN1N5616/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | A, Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 200°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5616/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5616/TR-FT |
IRD3CH16DB6
Infineon Technologies
IRD3CH16DD6
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IRD3CH16DF6
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IRD3CH24DB6
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IRD3CH24DD6
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IRD3CH31DB6
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IRD3CH42DB6
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EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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10AX032H4F35E3SG
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Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
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EP3SL70F780C3
Intel