maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N5611
Référence fabricant | JAN1N5611 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N5611 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/434 |
JAN1N5611 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 40.3V |
Tension - Panne (Min) | 43.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 63.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 24A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | G, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | G, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5611 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5611-FT |
JANTXV1N6127AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6128AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6129AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6130AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6131AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6132AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6133AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6134AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6135AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6136AUS
Microsemi Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation