maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / JAN1N4957DUS
Référence fabricant | JAN1N4957DUS |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N4957DUS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/356 |
JAN1N4957DUS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolérance | ±1% |
Puissance - Max | 5W |
Impédance (Max) (Zzt) | 2 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 6.9V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 1A |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | E-MELF |
Package d'appareils du fournisseur | D-5B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4957DUS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N4957DUS-FT |
JAN1N4955C
Microsemi Corporation
JAN1N4955D
Microsemi Corporation
JAN1N4956C
Microsemi Corporation
JAN1N4956D
Microsemi Corporation
JAN1N4957C
Microsemi Corporation
JAN1N4957D
Microsemi Corporation
JAN1N4958C
Microsemi Corporation
JAN1N4958D
Microsemi Corporation
JAN1N4959C
Microsemi Corporation
JAN1N4959D
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel