maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / JAN1N4479D
Référence fabricant | JAN1N4479D |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N4479D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/406 |
JAN1N4479D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolérance | ±1% |
Puissance - Max | 1.5W |
Impédance (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 31.2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-41 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4479D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N4479D-FT |
JAN1N3017D-1
Microsemi Corporation
JAN1N3018B-1
Microsemi Corporation
JAN1N3018C-1
Microsemi Corporation
JAN1N3018D-1
Microsemi Corporation
JAN1N3019B-1
Microsemi Corporation
JAN1N3019C-1
Microsemi Corporation
JAN1N3019D-1
Microsemi Corporation
JAN1N3020C-1
Microsemi Corporation
JAN1N3020D-1
Microsemi Corporation
JAN1N3021B-1
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
EP3C10F256C8
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I5N
Intel