maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N4150-1
Référence fabricant | JAN1N4150-1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N4150-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/231 |
JAN1N4150-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4150-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N4150-1-FT |
UPS360E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS340E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS3100E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS1040E3/TR13
Microsemi Corporation
UFT3140C
Microsemi Corporation
UFR3260
Microsemi Corporation
UFR3020
Microsemi Corporation
UES706HR2
Microsemi Corporation
UES706
Microsemi Corporation
UES702
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel