maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / J309_D27Z
Référence fabricant | J309_D27Z |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-J309_D27Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
J309_D27Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | N-Channel JFET |
La fréquence | 450MHz |
Gain | 12dB |
Tension - Test | 10V |
Note actuelle | 30mA |
Figure de bruit | 3dB |
Courant - Test | 10mA |
Puissance - sortie | - |
Tension - nominale | 25V |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J309_D27Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | J309_D27Z-FT |
BF256B
ON Semiconductor
PN5033
Central Semiconductor Corp
2N3819
ON Semiconductor
2N5245
ON Semiconductor
2N5246
ON Semiconductor
2N5247
ON Semiconductor
2N5484
ON Semiconductor
2N5485
ON Semiconductor
2N5486
ON Semiconductor
2N5486G
ON Semiconductor
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000-FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-FG484M
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6N
Intel
EPF10K30AFC256-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C5N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel