maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / J108_D27Z
Référence fabricant | J108_D27Z |
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Numéro de pièce future | FT-J108_D27Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
J108_D27Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 25V |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 80mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 3V @ 10nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Résistance - RDS (On) | 8 Ohms |
Puissance - Max | 625mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
J108_D27Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | J108_D27Z-FT |
J112,126
NXP USA Inc.
J113,126
NXP USA Inc.
J174
ON Semiconductor
J174,126
NXP USA Inc.
J175
ON Semiconductor
J175,116
NXP USA Inc.
J176
ON Semiconductor
J176,126
NXP USA Inc.
J177
ON Semiconductor
J177,126
NXP USA Inc.
A3P030-2QNG68
Microsemi Corporation
A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
EPF10K200SBC600-3B
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35C2LN
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400BC652-1
Intel
EP20K200RC208-3
Intel