maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXYX100N120B3
Référence fabricant | IXYX100N120B3 |
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Numéro de pièce future | FT-IXYX100N120B3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GenX3™, XPT™ |
IXYX100N120B3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 225A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 530A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 100A |
Puissance - Max | 1150W |
Énergie de commutation | 7.7mJ (on), 7.1mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 250nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 30ns/153ns |
Condition de test | 600V, 100A, 1 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYX100N120B3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXYX100N120B3-FT |
MGB15N40CLT4
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XC2VP2-5FFG672C
Xilinx Inc.
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