maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXYP20N65C3D1M
Référence fabricant | IXYP20N65C3D1M |
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Numéro de pièce future | FT-IXYP20N65C3D1M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GenX3™, XPT™ |
IXYP20N65C3D1M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 18A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 105A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
Puissance - Max | 50W |
Énergie de commutation | 430µJ (on), 350µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 30nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 19ns/80ns |
Condition de test | 400V, 20A, 20 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYP20N65C3D1M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXYP20N65C3D1M-FT |
IXBT12N300
IXYS
IXGT2N250
IXYS
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