maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXYH75N120B4
Référence fabricant | IXYH75N120B4 |
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Numéro de pièce future | FT-IXYH75N120B4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | XPT™, GenX4™ |
IXYH75N120B4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 240A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 440A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 75A |
Puissance - Max | 1150W |
Énergie de commutation | 4.5mJ (on), 2.7mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 157nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 22ns/182ns |
Condition de test | 600V, 50A, 3 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 66ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYH75N120B4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXYH75N120B4-FT |
FGAF20N60SMD
ON Semiconductor
FGA60N65SMD
ON Semiconductor
DGTD65T15H2TF
Diodes Incorporated
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C50U484I8
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Xilinx Inc.
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