maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXXH80N65B4H1
Référence fabricant | IXXH80N65B4H1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXXH80N65B4H1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GenX4™, XPT™ |
IXXH80N65B4H1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 430A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
Puissance - Max | 625W |
Énergie de commutation | 3.77mJ (on), 1.2mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 120nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 38ns/120ns |
Condition de test | 400V, 80A, 3 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 (IXXH) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXXH80N65B4H1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXXH80N65B4H1-FT |
IXGA16N60B2D1
IXYS
IXGA16N60C2
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IXGA16N60C2D1
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