maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXXH50N60B3
Référence fabricant | IXXH50N60B3 |
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Numéro de pièce future | FT-IXXH50N60B3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GenX3™, XPT™ |
IXXH50N60B3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 120A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 36A |
Puissance - Max | 600W |
Énergie de commutation | 670µJ (on), 740µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 70nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 27ns/100ns |
Condition de test | 360V, 36A, 5 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 (IXXH) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXXH50N60B3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXXH50N60B3-FT |
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IXXR100N60B3H1
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XC6SLX16-2FTG256I
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XC7S75-2FGGA484I
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
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M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
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LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
M2GL090S-1FGG676I
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EP20K400CB652C7
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EP1C12Q240C7
Intel