maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTX40P50P
Référence fabricant | IXTX40P50P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTX40P50P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarP™ |
IXTX40P50P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 205nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 890W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTX40P50P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTX40P50P-FT |
IXTA42N25P
IXYS
IXTA44P15T
IXYS
IXTA48N20T
IXYS
IXTA48P05T
IXYS
IXTA4N65X2
IXYS
IXTA4N80P
IXYS
IXTA50N20P
IXYS
IXTA50N25T
IXYS
IXTA60N20T
IXYS
IXTA62N15P
IXYS
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel