maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTV18N60P
Référence fabricant | IXTV18N60P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTV18N60P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHV™ |
IXTV18N60P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS220 |
Paquet / caisse | TO-220-3, Short Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTV18N60P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTV18N60P-FT |
IXFM35N30
IXYS
IXFM42N20
IXYS
IXFM67N10
IXYS
IXFR15N100Q
IXYS
IXFR16N90Q
IXYS
IXFR20N80Q
IXYS
IXFR21N50Q
IXYS
IXFR32N50
IXYS
IXFT1874 TR
IXYS
IXFT26N50Q TR
IXYS
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel