maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTT40N50L2
Référence fabricant | IXTT40N50L2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTT40N50L2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Linear L2™ |
IXTT40N50L2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 540W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT40N50L2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTT40N50L2-FT |
IXFK64N50P
IXYS
IXFB120N50P2
IXYS
IXFK220N20X3
IXYS
IXFB38N100Q2
IXYS
IXFB40N110P
IXYS
IXFB50N80Q2
IXYS
IXFK21N100Q
IXYS
IXFK320N17T2
IXYS
IXFK73N30
IXYS
IXFK400N15X3
IXYS
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel