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IXYS IXTT10N100D2

Name: IXTT10N100D2
Brand: IXYS
SKU: IXTT10N100D2
Price: 8.4064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (704 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTT10N100D2

quantité disponible: 97030 Pièces

Prix de référence: USD 8.4064

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: - MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTT10N100D2.pdf

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IXTT10N100D2 Caractéristiques

Référence fabricant	IXTT10N100D2
Numéro de pièce future	FT-IXTT10N100D2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IXTT10N100D2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5320pF @ 25V
Caractéristique FET	Depletion Mode
Dissipation de puissance (max)	695W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-268
Paquet / caisse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTT10N100D2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTT10N100D2-FT

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