maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTQ88N30P
Référence fabricant | IXTQ88N30P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTQ88N30P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHT™ |
IXTQ88N30P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 88A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 600W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ88N30P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTQ88N30P-FT |
IXCP01N90E
IXYS
IXFJ32N50Q
IXYS
IXFP12N50PM
IXYS
IXFP130N10T
IXYS
IXFP3N50PM
IXYS
IXFP3N80
IXYS
IXFP5N50PM
IXYS
IXFP7N80PM
IXYS
IXFP8N50PM
IXYS
IXKP10N60C5
IXYS